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亚美am

时间:2020-04-10 07:30:14作者:Mckay

导语:亚美am

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

亚美am

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

,见下图

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

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(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

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近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

据外媒报道,当地时间7月24日,日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该产品采用了罗姆独有的封装加工技术,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。

(图片来源:罗姆官网)

近年来,汽车安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全和便利系统,但是此类系统受安装空间的限制,对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求,在保持高电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET受到了人们的关注。但是,对于汽车应用来说,在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查,但是,对于底部电极封装组件来说,安装后无法验证焊料的高度,因而很难确定安装条件。

但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

1、 专有的Wettable Flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm

罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

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但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

关键特性

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罗姆的Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装产品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。

2、紧凑型底部电极MOSFET,可减少安装面积

近年来,肖特基势垒二极管(SBD)被广泛用于ADAS摄像头模块的反接保护电路中。但是,由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流,SBD正日益被紧凑型MOSFET取代,因为MOSFET导电电阻低且产生的热量少。

例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

。亚美am

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但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技术,确保了封装侧面电极部分的高度(130µm)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。

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例如,在电流为2.0A,功耗为0.6W时,传统的车用级MOSFET安装面积比SBD的少30%。而且采用底部电极封装的MOSFET,散热性更好,同时不仅可实现小型化,还可实现大电流。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可削减68%。

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